Elektroeğirme Yöntemiyle Üretilen GaInP Nanoliflerin Elektriksel ve Optik Karakterizasyonu
Abstract
Bu çalışma kapsamında elektroeğirme yöntemiyle Galyum İndiyum fosfit (GaInP) nanoliflerin
oluşturabilmek için çözeltiler hazırlanmıştır. Hazırlanan çözeltinin viskozitesini ayarlayabilmek için
değişik katkılar (PVA,DEA,PEG,PVP) katılmış ve ardından çözelti elektroeğirme yöntemiyle iletken cam
ve alüminyum altlık kullanılarak lif haline getirilmiştir. Oluşan seramik içerikli lifler inert atmosferde
sinterlenmiştir. Elde edilen GaInP liflerin ısısal karakterizasyonu TGA ve DTA teknikleri kullanılarak analiz
edilmiştir. Elde edilen liflerin elektrik ve optik özellikleri sırasıyla dört nokta metodu ve UV
spektrometresiyle incelenmiştir. GaInP lif örneklerinin kristal yapı ve yüzey morfolojisi karakterizasyonu
ise Atomik Güç Mikroskobu (AFM) ve taramalı elektron mikroskopu (SEM), yapısal özellikleri X-ışını
kırınımı (XRD) teknikleri kullanılarak belirlenmiştir.
Source
Fen Bilimleri DergisiVolume
14Issue
Özel SayıCollections
- Cilt 14 : Sayı 3 [90]