Gelişmiş Arama

Basit öğe kaydını göster

dc.contributor.authorYiğit Gezgin, Serap
dc.contributor.authorGündoğdu, Yasemin
dc.contributor.authorKılıç, Hamdi Şükür
dc.date.accessioned2021-08-04T07:43:09Z
dc.date.available2021-08-04T07:43:09Z
dc.date.issued30.04.2021en_US
dc.identifier.citationYiğit, S , Gündoğdu, Y , Kılıç, H . (2021). Electrical Properties of The Heterojunction Diode Produced Based on IGZO Thin Film . Afyon Kocatepe Üniversitesi Fen Ve Mühendislik Bilimleri Dergisi , 21 (2) , 257-265 . DOI: 10.35414/akufemubid.867847en_US
dc.identifier.urihttps://dergipark.org.tr/tr/pub/akufemubid/issue/62252/867847
dc.identifier.urihttps://doi.org/10.35414/akufemubid.867847
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/11630/8995
dc.description.abstractIn this study, IGZO thin films were deposited on SLG and p-Si wafer at room temperature, under oxygen gas pressure of 5×10-2 and 7×10-2 mbar, using PLD technique and these thin films were annealed at 300oC temperature. IGZO thin films were grown in amorphous structure. As the oxygen gas pressure was increased, the particle size in the thin films were increased. IGZO/p-Si heterojunction diode was produced based on IGZO thin film that was grown at oxygen gas pressure of 7×10-2 mbar and not annealed, and J-V curves of this diode in darkness and under the illumination condition were obtained and then its ideality factor and barrier height were calculated. In an illumination condition, n,〖 R〗_s and Ф_b values of IGZO/Si heterojunction diode were calculated by the conventional J-V, Cheung Cheung and Norde methods. Results obtained in this work have been interpreted as well as concluded to be close to each other.en_US
dc.description.abstractBu çalışmada, PLD tekniği kullanarak oda sıcaklığındaki SLG ve p-Si wafer üzerine 5×10-2 ve 7×10-2 mbar oksijen gaz basıncı altında IGZO ince filmler üretilmiş ve 300o C sıcaklıkta tavlanmışlardır. IGZO ince filmler amorf yapıda büyümüşlerdir. Oksijen gaz basıncı artarken, ince filmi oluşturan parçacıkların boyutu büyümüştür. 7×10-2 mbar oksijen gaz basıncı altında büyütülmüş ve tavlanmamış IGZO ince filme dayalı olarak IGZO/Si heteroeklem diyotu üretilmiş ve bu diyotun karanlık ve aydınlık şartlarda J-V eğrileri elde edilmiş, ideality faktörleri ve bariyer yükseklikleri hesaplanmıştır. Aydınlık ortam için, J-V, Cheung Cheung ve Norde metotları ile IGZO/Si heteroeklem diyotun n,〖 R〗_s and Ф_b değerleri hesaplanmıştır. Bu çalışmadan elde edilen sonuçlar analiz edilmiş ve bulunan değerlerin birbirlerine yakın olduğu yorumu yapılmıştır.en_US
dc.language.isoengen_US
dc.publisherAfyon Kocatepe Üniversitesien_US
dc.identifier.doi10.35414/akufemubid.867847en_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen_US
dc.subjectThin Filmen_US
dc.subjectDiodeen_US
dc.subjectNordeen_US
dc.subjectPlden_US
dc.subjectIGZOen_US
dc.subjectİnce Filmen_US
dc.subjectDiyoten_US
dc.subjectCheung Cheungen_US
dc.titleElectrical properties of the heterojunction diode produced based on IGZO thin filmen_US
dc.title.alternativeIGZO ince filme dayalı olarak üretilen heteroeklem diyotun elektriksel özelliklerien_US
dc.typearticleen_US
dc.relation.journalAfyon Kocatepe Üniversitesi Fen ve Mühendislik Bilimleri Dergisien_US
dc.departmentAfyon Kocatepe Üniversitesien_US
dc.authorid0000-0003-3046-6138en_US
dc.authorid0000-0003-2020-9533en_US
dc.authorid0000-0002-7546-4243en_US
dc.identifier.volume21en_US
dc.identifier.startpage257en_US
dc.identifier.endpage265en_US
dc.identifier.issue2en_US
dc.relation.publicationcategoryMakale - Ulusal Hakemli Dergi - Başka Kurum Yazarıen_US


Bu öğenin dosyaları:

Thumbnail

Bu öğe aşağıdaki koleksiyon(lar)da görünmektedir.

Basit öğe kaydını göster