Ara yüzeyine Grafen/Grafit katkılamanın Au/n-6H SiC/Au Schottky Bariyer Diyotunun elektriksel özelliklerine etkisinin araştırılması

Abstract

Au/n-6H SiC/Au yapısı ve ara yüzeyine grafit ve grafen katkılı durumları 300 K sıcaklıkta incelendi. Her üç numune için Raman, Taramalı elektron mikroskobu (SEM) ve Enerji dağılım spektroskopisi (EDS) yapı analizleri yapıldı. Hem karanlıkta hem de ışık altında (100 mW/cm², 300-1800 nm, AM 1,5G standartı) akım-voltaj (I-V) ölçümleri ve değişik frekanslarda karanlıkta kapasitans-voltaj (C-V) ölçümleri kullanılarak temel bazı elektriksel parametreleri hesaplandı. Yapılan çalışma sonucunda Au/n-6H SiC/Au yarıiletken yapısının dielektrik özelliklerini iyileştirme noktasında grafen’in, elektriksel özelliklerini iyileştirme noktasında grafitin olumlu etki yaptığı gözlemlenmiştir.

The Au/n-6H SiC/Au structure and the graphite and graphene doped states at the interface of this sample were examined at 300 K temperature. Raman, Scanning electron microscopy (SEM) and Energy distribution spectroscopy (EDS) structure analyzes were performed for all three samples. Some basic electrical parameters were calculated using current-voltage (I-V) measurements both in the dark and under light (100 mW/cm², 300-1800 nm, AM 1.5G standard) and capacitance-voltage (C-V) measurements in the dark at different frequencies. As a result of the study, it was observed that graphene had a positive effect at the point of improving the dielectric properties of the Au/n-6H SiC/Au semiconductor structure, and graphite had a positive effect at the point of improving the electrical properties.