• Türkçe
    • English
  • English 
    • Türkçe
    • English
  • Login
View Item 
  •   DSpace Home
  • Rektörlüğe Bağlı Birimler
  • AKÜ Yayınları
  • AKÜ Dergileri
  • Fen ve Mühendislik Bilimleri Dergisi
  • 2011
  • Cilt 11 : Sayı 1
  • View Item
  •   DSpace Home
  • Rektörlüğe Bağlı Birimler
  • AKÜ Yayınları
  • AKÜ Dergileri
  • Fen ve Mühendislik Bilimleri Dergisi
  • 2011
  • Cilt 11 : Sayı 1
  • View Item
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Kapasitans-Voltaj (C-V) Yöntemiyle Sb Katkılı TiO2 / n-Si MIS Yapının Seri Direnç Parametresinin Hesaplanması

Thumbnail

View/Open

Makale Dosyası (343.2Kb)

Date

2011

Author

Sönmezoğlu, Savaş
Akın, Seçkin

Metadata

Show full item record

Abstract

Bu çalışmada, Sb katkılı TiO2/n-Si MIS diyotun seri direnç ve engel yüksekliği gibi temel elektriksel parametreleri I-V ve C-V karakteristikleri yardımıyla hesaplanmış ve analiz edilmiştir. I-V karakteristiklerinden elde edilen idealite faktörü, engel yüksekliği ve seri direnç değerleri sırasıyla, 2.79, 0.68 eV ve 4118 Q olarak elde edilmiştir. C-V karakteristiğinden engel yüksekliği ve seri direnç değerleri ise sırasıyla 1.94 eV ve 10.45 Q olarak elde edilmiştir. C-V yönteminden elde edilen engel yüksekliği değeri ile I-V yönteminden elde edilen engel yüksekliği değeri arasındaki farkın sebepleri arayüzey durumları, seri direnç etkisi ve yalıtkan tabakanın varlığı olabilir. Yalıtkan ara tabakanın büyük olduğu durumlarda C-V yönteminden elde edilen seri direnç ve engel yüksekliği gibi parametreler I-V yönteminden daha doğru ve güvenilir sonuçlar vermektedir.
 
In this study, the basic electrical parameters of the Sb-doped TiO2/n-Si MIS diode such as series resistance and barrier height were calculated and analyzed with the help of I-V and C-V characteristics. Ideality factor, barrier height and series resistance values obtained from the I-V characteristics were determined 2.79, 0.68 eV and 4118 Q, respectively. Barrier height and series resistance values from the C-V characteristics were determined as 1.94 eV and 10.45 Q, respectively. The causes of the difference between the value of barrier height obtained from the C-V method and the value of barrier height obtained from the I-V method may be interfacial states, series resistance effect and presence of the interfacial layer. When the interlayer is thick, the parameters obtained from the C-V method such as series resistance and barrier height provide more accurate and reliable results than I-V method.
 

Source

Fen Bilimleri Dergisi

Volume

11

Issue

1

URI

http://hdl.handle.net/11630/828

Collections

  • Cilt 11 : Sayı 1 [10]



DSpace software copyright © 2002-2015  DuraSpace
Contact Us | Send Feedback
Theme by 
@mire NV
 

 




| Instruction | Guide | Contact |

DSpace@AKÜ

by OpenAIRE
Advanced Search

sherpa/romeo

Browse

All of DSpaceCommunities & CollectionsBy Issue DateAuthorsTitlesSubjectsTypeLanguageDepartmentCategoryPublisherAccess TypeCitationInstitution AuthorThis CollectionBy Issue DateAuthorsTitlesSubjectsTypeLanguageDepartmentCategoryPublisherAccess TypeCitationInstitution Author

My Account

LoginRegister

Statistics

View Google Analytics Statistics

DSpace software copyright © 2002-2015  DuraSpace
Contact Us | Send Feedback
Theme by 
@mire NV
 

 


|| Guide|| Instruction || Library || Afyon Kocatepe University || OAI-PMH ||

Afyon Kocatepe University Library, Afyon, Turkey
If you find any errors in content please report us

Creative Commons License
Afyon Kocatepe University Institutional Repository is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivs 4.0 Unported License..

DSpace@AKÜ:


DSpace 6.2

tarafından İdeal DSpace hizmetleri çerçevesinde özelleştirilerek kurulmuştur.