Kapasitans-Voltaj (C-V) Yöntemiyle Sb Katkılı TiO2 / n-Si MIS Yapının Seri Direnç Parametresinin Hesaplanması

Abstract

Bu çalışmada, Sb katkılı TiO2/n-Si MIS diyotun seri direnç ve engel yüksekliği gibi temel elektriksel parametreleri I-V ve C-V karakteristikleri yardımıyla hesaplanmış ve analiz edilmiştir. I-V karakteristiklerinden elde edilen idealite faktörü, engel yüksekliği ve seri direnç değerleri sırasıyla, 2.79, 0.68 eV ve 4118 Q olarak elde edilmiştir. C-V karakteristiğinden engel yüksekliği ve seri direnç değerleri ise sırasıyla 1.94 eV ve 10.45 Q olarak elde edilmiştir. C-V yönteminden elde edilen engel yüksekliği değeri ile I-V yönteminden elde edilen engel yüksekliği değeri arasındaki farkın sebepleri arayüzey durumları, seri direnç etkisi ve yalıtkan tabakanın varlığı olabilir. Yalıtkan ara tabakanın büyük olduğu durumlarda C-V yönteminden elde edilen seri direnç ve engel yüksekliği gibi parametreler I-V yönteminden daha doğru ve güvenilir sonuçlar vermektedir.

In this study, the basic electrical parameters of the Sb-doped TiO2/n-Si MIS diode such as series resistance and barrier height were calculated and analyzed with the help of I-V and C-V characteristics. Ideality factor, barrier height and series resistance values obtained from the I-V characteristics were determined 2.79, 0.68 eV and 4118 Q, respectively. Barrier height and series resistance values from the C-V characteristics were determined as 1.94 eV and 10.45 Q, respectively. The causes of the difference between the value of barrier height obtained from the C-V method and the value of barrier height obtained from the I-V method may be interfacial states, series resistance effect and presence of the interfacial layer. When the interlayer is thick, the parameters obtained from the C-V method such as series resistance and barrier height provide more accurate and reliable results than I-V method.